三星通过eUFS 3.1将移动存储距离NVMe速度提高了近一步

2020-03-18 17:01:08    来源:    作者:

最新的移动存储标准针对8K视频和大图像文件进行了优化。随着顺序写入速度提高了将近3倍,用户很快就能在1.5分钟内传输100 GB的文件。总体响应速度和应用程序加载时间也将提高多达60%。

通过eUFS 3.1将移动存储距离NVMe速度提高了近一步

作为世界上最大的多功能芯片制造商,三星一直在推动各个领域的技术进步。这家韩国巨头可能没有最快的移动SoC或最佳制造节点,但在LPDDR RAM芯片,图像传感器或存储芯片方面,它始终领先竞争对手。说到存储内存,三星最近宣布已开始生产eUFS 3.1芯片,该芯片不久将集成在旗舰手机中。

UFS 3.0速度已经相当快了,但是三星现在正在通过针对8K视频和大尺寸图像文件进行了优化的嵌入式版本来提高赌注。尽管读取速度在2.1 GB / s不变,但改进的标准将写入速度限制在1.2 GB / s的速度提高了三倍,因此传输速度将很快突破1 GB / s,用户将能够在其中移动100 GB的数据。大约1.5分钟。随机读取/写入速度也得到了提高,读取速度为100,000 IOPS,写入速度为70,000 IOPS,这将使一般响应速度和加载时间提高60%。

三星将提供512 GB,256 GB和128 GB两种版本的eUFS 3.1芯片,这意味着该新标准也有可能在中端手持设备中采用。目前,这些芯片仅在中国西安的第5代V-NAND存储器工厂生产,三星计划扩大其韩国平泽工厂的批量生产,该工厂将使用第6代V-NAND存储器。

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