三星宣布联合发现一种称为非晶氮化硼(a-BN)的新材料。三星高级技术学院(SAIT)的研究人员与蔚山国立科学技术学院(UNIST)和剑桥大学合作进行了这项发现。合作者在《自然》杂志上发表了他们的发现，并相信这种材料将“加速下一代半导体的问世”。
三星在解释新发现的非晶态氮化硼时说，它由具有非晶态分子结构的硼和氮原子组成。这家韩国公司表示，这种新材料源自白色石墨烯，但不同的分子结构使a-BN与白色石墨烯“独特”。
三星表示，a-BN有望被广泛用于DRAM和NAND解决方案中，因为它能够最大程度地减少电气干扰，并且可以在相对较低的400°C温度下以晶圆级生长。
SAIT的石墨烯项目负责人兼首席研究员Shin Hyeon-Jin Shin在评论该材料时说：
为了增强石墨烯与基于硅的半导体工艺的兼容性，应该在低于400°C的温度下在半导体衬底上进行晶圆级石墨烯生长。我们还将继续努力，将石墨烯的应用范围扩展到半导体以外的领域。”
该公司没有透露何时开始在硬件产品中使用这种新材料的日期，但确实表示将在半导体，特别是大型服务器的下一代存储解决方案中将其应用于半导体，特别是DRAM和NAND解决方案。
