Snapdragon 875驱动的游戏手机推动充电速度

2020-06-29 14:08:49    来源:新经网    作者:冯思韵

据泄漏者Digital Chat Station称,由Snapdragon 875驱动的游戏智能手机将配备100W快速充电。

Snapdragon 875是高通公司传言即将推出的旗舰芯片,预计它将是对当前Snapdragon 865 SoC的重大升级。骁龙865采用7纳米工艺制造,而即将面市的硅将采用5纳米工艺制造,这将使其更快,更省电。板载X60 5G调制解调器将实现进一步的电源转换。

Snapdragon 875驱动的游戏手机推动充电速度

Digital Chat Station声称,明年将由高通公司未宣布的芯片供电的游戏智能手机除了支持快速充电外,还将配备大电池。这听起来像是一个成功的组合,因为不仅充电速度会提高,而且电池容量也会增加,从而使用户可以长时间使用而不会浪费手机的电量。

小米强调了100W快速充电的担忧

小米还已经演示了其100W Super Charge Turbo快速充电解决方案,该解决方案可在短短17分钟内将4,000mAh的大容量电池补充至其容量的100%。

话虽如此,从长远来看,虽然100W充电看起来很不错,但从长远来看,它可能对手机电池造成的伤害大于好处。OPPO显然已经承认其40W快速充电技术使电池的退化速度比15W充电快得多。

小米副总裁陆伟兵也警告说,超快速充电有很多限制,包括上述容量损失,实施问题,可持续性问题,安全问题和兼容性问题。

延长游戏时间已经需要一块巨大的电池,这解释了为什么ASUS ROG PHONE II配备了巨大的6,000mAh电池。由于Snapdragon 875将使5G成为标准功能,因此功耗会更高,这也许可以解释为什么中国制造商渴望推出具有更大电池和更快充电速度的手机。

如果泄漏是准确的,则首批设备应在2021年第一季度到达。

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