英特尔在半导体工艺中的10nm生产可能是一个重要标志，表明它将不如22nm和14nm生产。此前，业界曾多次报道英特尔还将把芯片外包给台积电。最新消息称，英特尔还将在2022年为3nm供电。
据业内消息称，预计英特尔将在2021年大规模使用台积电的6nmn工艺，目前正在制作掩膜。
英特尔将在2022年进一步使用台积电的3nm工艺。
这家电话芯片制造商在较早的一次披露中指出，英特尔将从2021年开始主要外包GPU和芯片组，并警告苹果，希思，英特尔和AMD在2021年将非常紧张。
如果英特尔真的想扩展外包，那么除了已经部分外包的芯片组之外，第一个就是GPU，因为GPU比CPU制造更简单，而台积电在GPU制造方面也有很多经验。
结合先前的信息，英特尔Xe架构独特的DG1使用自己的10nm工艺制造，该工艺于今年年底推出，具有96套EU执行单元，总共768核，基本频率为1GHz，加速频率为1.5 GHz，1MB二级缓存和3GB内存，TDP为25W。
预计dG1的性能与GTX950相似，比GTX 1050差15%，并且其总体定位还不足以适合节能领域，尤其是笔记本GPU。
DG1将紧随其后的是DG2，这是一款高性能CPU，在爆炸之前dG2将使用7nm工艺的台上建筑电源，现在看来应该是7nm修改版的6nm工艺。
但是英特尔自己的7nm工艺也将在2021年量产，官方已经宣布，用于数据中心的Ponte Vecchio加速卡将使用其自己的7nm EUV工艺。
