采用176层4D NAND芯片开发的SSD将具有70％的读取速度和35％的写入速度。美光首次推出176层内存。1个月后，SK海力士宣布已完成176层三层单元（TLC）4D NAND闪存芯片的开发。但是，新记忆的样本已于上个月发送给控制公司。
新型176层NAND闪存被描述为第三代4D产品，该产品在公司每晶片芯片数量方面显示出显着改进。与上一代产品相比，每个晶圆更多的芯片可使位生产率提高35%，同时具有差异化的成本竞争。但是，与上一代相比，单元读取速度提高了20%。
SK hynix还设法将数据传输速率提高了33%，达到1.6 Gbps。使用新技术的消费者和企业SSD将在2021年中期面市，读取速度提高70%，写入速度提高35%。
随着NAND闪存中层数的增加，单元流量减少，通道孔卷曲，单元分布变差。SK海力士表示，通过采用创新技术克服了这些挑战。
用户始终欢迎更快的读写速度。新消息对公司用户和计算机爱好者都有利。但是，谈论使用新技术的SSD的价格为时尚早。
